| Форм-фактор | M.2 2280 |
| Объем памяти | 512 ГБ |
| Тип ячеек памяти | V-NAND MLC |
| Интерфейс | PCIe 3.0 x4 |
| NVMe | Поддержка протокола NVMe |
| Контроллер | Samsung Phoenix |
| Скорость чтения | 3500 |
| Скорость записи | 2700 |
| Ресурс записи (TBW) | 600 |
| Время наработки на отказ | 1.5 млн часов |
| Ударостойкость | 1500 |
| Потребляемая мощность |
0.3 Вт (в режиме простоя) 5.2 Вт (при чтении) 8.5 Вт (при записи) |
| Рабочая температура | От 0 до 70 |
| Температура хранения | От −40 до +85 |
| Дополнительно |
Объем DRAM Cashe DDR4 512 МБ SDRAM Поддержка S.M.A.R.T Накопитель с 256-битным аппаратным шифрованием AES и TCG/Opal IEEE1667 Поддержка технологии GC (Garbage Collection) |
| Габариты | 80.15 x 22.15 x 2.38 |
| Вес | 8 |
| Комплектация | SSD-диск |
Comments (0)
Только зарегистрированные пользователи могут оставлять комментарии